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简要技术规格

备注

1.

多腔室新型高k金属栅ALD生长系统采购

1套

一、总体配置要求：

*1、设备适用于最大8英寸晶圆。

*2、设备配置构成：

（1）一个热原子层沉积T-ALD反应腔模块、主要沉积氧化物；

（2）一个等离子增强原子层沉积PEALD反应腔模块、主要沉积氧化物和氮氧化物；

（3）一个等离子增强原子层沉积PEALD反应腔模块、主要沉积氮化物和金属；

（4）一个四端口的转接腔模块、带机械手；

（5）一个手动预真空室、用于手动送片

二、技术指标要求：

（一）热原子层沉积T-ALD反应腔模块：沉积氧化铝、氧化铪、氧化锆等氧化物薄膜。

1、反应腔：

（1）反应腔内壁经耐腐蚀处理；内壁加热温度≥120℃；

（2）样品载物台直径≥215mm，兼容8英寸及以下的晶圆和不规则碎片；最高加热温度≥400℃；

（3）配置不少于4路的独立的前驱体源入口；

（4）配置独立的臭氧源入口；

2、真空系统：

（1）配置防腐蚀设计的罗茨干泵，抽速≥ 550 m3/hr；

（2）反应腔本底真空≤1E-2 mbar；真空漏率≤2E-4 mbar•l/s；

（3）配置薄膜电容真空计，分辨率为满量程的0.001%；

（4）配置快速响应的自动节流阀，保持工艺过程中腔体内压力稳定；

（5）真空管路配置冷阱Vapor trap；

3、前驱体源系统：

（1）配置至少4路液体/固体前体源管路及相应的300 ml前驱体罐；每路管路配置独立的阀门、ALD快速脉冲阀和温度传感器；

（2）前驱体源管路种类至少为：2路带管路加热（最高200℃）的直抽管路；2路带管路加热（最高200℃）、前驱体罐加热（最高200℃）的直抽管路；

（3）配置至少1路惰性气体（N2或Ar）载气管路、连接至每一路前驱体源管路；

*（4）H2O管路的惰性气体（N2或Ar）载气管路须为单独一路；

4、臭氧管路：

（1）配置独立的臭氧管路，包括臭氧发生器、质量流量控制器MFC、气体探测器、阀门、控制机箱等。

*（2）臭氧发生量：≥6 g/h；

（二）等离子增强原子层沉积PEALD反应腔模块（1）：沉积氧化铝、氧化铪、氧化钛等氧化物、以及氮氧铝等氮氧化物薄膜。

1、反应腔：

（1）反应腔内壁经耐腐蚀处理；内壁加热温度≥120℃；

（2）样品载物台（下电极）直径≥215mm，兼容8英寸及以下的晶圆和不规则碎片；最高加热温度≥400℃；

（3）配置不少于4路的独立的前驱体源入口；

2、真空系统：

（1）配置防腐蚀设计的罗茨干泵，抽速≥550 m3/hr；

*（2）配置防腐蚀设计的涡轮分子泵，抽速≥340 L/s；

（3）反应腔本底真空≤1E-5 mbar；真空漏率≤2E-4 mbar•l/s；

（4）配置薄膜电容真空计，分辨率为满量程的0.001%；

（5）配置快速响应的自动节流阀，保持工艺过程中腔体内压力稳定；

（6）真空管路配置冷阱Vapor trap；

3、前驱体源系统：

（1）配置至少3路液体/固体前体源管路及相应的300 ml前驱体罐；每路管路配置独立的阀门、ALD快速脉冲阀和温度传感器；

（2）前驱体源管路种类至少为：1路带管路加热（最高200℃）的直抽管路；1路带管路加热（最高200℃）、前驱体罐加热（最高200℃）的直抽管路；1路带管路加热（最高200℃）、前驱体罐加热（最高200℃）、并带起泡器Bubbler的起泡器管路；

（3）配置至少1路惰性气体（N2或Ar）载气管路、连接至每一路前驱体源管路；

（4）配置至少2路独立的气体源管路（O2，NH3）；每路气体源管路须配有质量流量计（MFC）、颗粒过滤器和气体截止阀；对有毒/腐蚀性气体管路（NH3）须配有旁路bypass。

3、等离子体源系统：

（1）采用真正的远程等离子体方式，等离子体不直接照射于样品、防止对样品表面的损伤（包括离子轰击、紫外辐照所造成的损伤）；

（2）等离子体源的射频功率≥300 W，频率13.56MHz；

（3）配有自动匹配盒，可通过固定匹配模式或者自动匹配模式稳定地起辉；

*（4）配置计算机控制的自动隔离阀（等离子体快门）；

（三）等离子增强原子层沉积PEALD反应腔模块（2）：沉积氮化铝、氮化钛等氮化物薄膜、铂等金属薄膜。

1、反应腔：

（1）反应腔内壁经耐腐蚀处理；内壁加热温度≥120℃；

（2）样品载物台（下电极）直径≥215mm，兼容8英寸及以下的晶圆和不规则碎片；最高加热温度≥500℃；

（3）配置不少于4路的独立的前驱体源入口；

2、真空系统：

（1）配置防腐蚀设计的罗茨干泵，抽速≥550 m3/hr；

*（2）配置防腐蚀设计的涡轮分子泵，抽速≥340 L/s；

（3）反应腔本底真空≤1E-5 mbar；真空漏率≤2E-4 mbar•l/s；

（4）配置薄膜电容真空计，分辨率为满量程的0.001%；

（5）配置快速响应的自动节流阀，保持工艺过程中腔体内压力稳定；

（6）真空管路配置冷阱Vapor trap；

3、前驱体源系统：

（1）配置至少3路液体/固体前体源管路及相应的300 ml前驱体罐；每路管路配置独立的阀门、ALD快速脉冲阀和温度传感器；

（2）前驱体源管路种类至少为：1路带管路加热（最高200℃）的直抽管路；2路带管路加热（最高200℃）、前驱体罐加热（最高200℃）、并带起泡器Bubbler的起泡器管路；

（3）配置至少1路惰性气体（N2或Ar）载气管路、连接至每一路前驱体源管路；

（4）配置至少4路独立的气体源管路（O2，N2, H2, NH3）；每路气体源管路须配有质量流量计（MFC）、颗粒过滤器和气体截止阀；对有毒/腐蚀性气体管路（NH3）须配有旁路bypass。

4、等离子体源系统：

（1）采用真正的远程等离子体方式，等离子体不直接照射于样品、防止对样品表面的损伤（包括离子轰击、紫外辐照所造成的损伤）；

（2）等离子体源的射频功率≥300 W，频率13.56MHz；

（3）配有自动匹配盒，可通过固定匹配模式或者自动匹配模式稳定地起辉；

*（4）配置计算机控制的自动隔离阀（等离子体快门）；

（四）转接腔模块：

（1）共4个端口；通过闸阀分别与3个反应腔模块、1个预真空室连接；

（2）自动机械手，用于不同模块间传送样片；

（3）上盖有透明观察窗口；

（4）配置单独干泵和真空计，本底真空≤0.1 mbar，真空漏率≤5E-4 mbar•l/s；

（五）预真空室：

（1）通过闸阀与转接腔模块连接；配透明上盖；

（2）用于手动传送8英寸晶圆或托盘；

（3）配置单独干泵和真空计，本底真空≤0.1 mbar，真空漏率≤1E-3 mbar•l/s；

（六）控制系统：系统须自动化操作，软件功能包括但不限于以下部分：权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。

详见第八章 货物需求一览表及技术规格

预算金额：人民币850万元,项目编号：Z20230598